院士专家会聚西安经开研讨强磁场中的晶体生长技术

记者 梁萌 实习生 雷倩 文/图

1月21日，由国家新材料产业战略咨询委员会、西安市人民政府主办，西部超导材料科技股份有限公司、超导材料制备国家工程实验室等单位承办，经开区管委会协办的“强磁场中的晶体生长技术研讨会”在西安经开区举行，此次研讨会旨在为进一步深化对大尺寸半导体级单晶硅材料的研究，促进西安市新材料产业发展。

以大尺寸半导体级单晶硅为代表的半导体材料，是当代信息技术产业的重要基础材料，在诸多军事装备领域广泛应用。目前，以美国、日本等为主的发达国家长期垄断国际大尺寸半导体级单晶硅片市场，但近年来特别是“十三五”期间在“国家科技重大专项”、“中国制造2025”、“国家新材料产业发展专项”等国家计划中，国家对大尺寸半导体级单晶硅生长技术、装备开发与产业化进行了全面部署，我国在该领域的科研能力和制造技术取得了快速进展，赶超发达国家并替代进口已成为可能。

此次研讨会邀请了中国工程院周廉、王震西、陈立泉、吴以成、杨德仁5位院士及10余家国内大学和科研机构代表参会，并作主题学术报告，就超导强磁体、强磁场技术进行深入交流和探讨，以期形成共识，并借此机会联合优势单位，共同为国家和地方在该领域取得技术突破和发展规划提出意见和建议。

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