□记者晁明春通讯员赵勇报道
本报济南讯7月18日—19日,由济南市人民政府、山东大学主办,济南市槐荫区人民政府、济南槐荫工业园区管委会、山东大学晶体材料国家重点实验室承办的“新动能新机遇——宽禁带半导体产业发展论坛”暨战略合作签约活动在槐荫举办。
宽禁带半导体是指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)、金刚石等新一代半导体,性能更加优异。基于宽禁带半导体的系统,功耗大幅降低、能量转换效率大幅提高、系统体积大幅减小,同时兼具耐高温、抗高压、开关速度快、寿命长的优点,可广泛应用于国防军工、航空航天、微波通讯、轨道交通、高端装备、新能源、智能电网、家用电器、半导体照明等众多领域。目前,宽禁带半导体在照明行业已形成千亿级产业规模。据国内外权威机构预测,到2025年,全球宽禁带半导体市场规模将超过2万亿元,发展空间广阔。
在签约现场,槐荫区人民政府与山东大学签订了科技成果转化战略合作协议,槐荫区人民政府、济南槐荫工业园区管委会、湖南正芯微电子探测器有限公司共同签订了“大面积硅漂移探测器产业化”项目合作协议,荷兰施泰克集团有限公司、济南轨道交通集团有限公司、山东天岳晶体材料有限公司签订了战略合作协议,山东大学晶体材料国家重点实验室与中创科技成果交易平台签署了科研成果转移战略合作协议。
在打造全国领先的宽禁带半导体产业聚集区方面,槐荫区一是具备良好的产业基础。工业园区内现有山东天岳晶体材料有限公司,在宽禁带半导体产业中位于全球前五名,且形成了一定的生产规模。二是具备良好的成果转化能力。工业园区内德迈国际集团联合山东省科学院、山东大学、山东财经大学、山东建筑大学、济南大学等共同成立了中创科技成果交易平台,将为宽禁带半导体成果提供优越的转化平台。三是具备良好的人才优势。槐荫区与山东大学及晶体材料国家重点实验室具有良好的合作基础,多位晶体材料国家重点实验室教授在工业园区挂职。槐荫区还专门设立了1亿元产业扶持专项资金,工业园区也设立了3500万元配套扶持资金,重点扶持以宽禁带半导体为代表的新兴产业发展。
据介绍,槐荫区未来拟将宽禁带半导体产业特色小镇打造成国际领先的碳化硅半导体产业基地,带动形成基于碳化硅半导体的电力电子、微波电子、大功率半导体照明生产、应用系统为核心的千亿级产业集群;建成国际先进的宽禁带半导体研发、检测和服务公共平台,获得具有完全自主知识产权的新材料、新工艺、新器件,支撑全市、全省新旧动能转换,培育一批掌握核心技术、具有国际竞争力和影响力的品牌企业。
“在规划布局方面,特色小镇拟分近期、中期、远期三个阶段推进。”据济南槐荫工业园区管委会经济发展服务局局长孙永军介绍,近期,重点发展产业起步区(约500亩),建设宽禁带半导体研发总部,打造国际领先的研发平台;中期,重点发展产业拓展区(约800亩),建设宽禁带半导体上下游产业链企业孵化基地,孵化优质项目,延伸产业链条,并积极申报国家级特色孵化基地;远期,重点发展全产业链聚集区(约3600亩),打造宽禁带半导体产业聚集区和产城融合型特色小镇。
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