记者 | 佘晓晨
3月3日,上海临港新片区发布了集成电路产业专项规划(2021-2025)。
规划提出,为进一步提升临港新片区集成电路产业能级,推动更多集成电路产业资源和创新要素向临港集聚,建设世界级的“东方芯港”,现依据《中国(上海)自由贸易试验区临港新片区总体方案》、《临港新片区创新型产业规划》、《临港新片区前沿产业发展“十四五”规划》,制定本规划。
规划提出,到2025年,推进重大项目落地建设,基本形成新片区集成电路综合性产业创新基地的基础框架;到2035年,构建起高水平产业生态,成为具有全球影响力的“东方芯港”。
具体而言,规划提出的发展目标包括产业规模、技术创新等5大方面。
在产业规模方面,到2025年,集成电路产业规模突破1000亿元,芯片制造、装备材料主导地位进一步加强,芯片设计、封装测试形成规模化集聚。
技术创新上,到2025年,先进工艺、成熟工艺、特色工艺进入国际前列,EDA工具、光刻胶、大硅片等关键“卡脖子”技术产业化取得突破,2种以上关键装备进入全球领先制造企业采购体系。
企业培育方面,到2025年,引进培育5家以上国内外领先的芯片制造企业;形成5家年收入超过20亿元的设备材料企业;培育10家以上的上市企业,围绕5G、CPU、人工智能、物联网、无人驾驶等细分领域发展壮大一批独角兽设计企业。
此外,在人才集聚方面,规划提出要汇聚超过2-5万名硕士以上学历的集成电路从业人员。
高质量发展上,园区集成电路产业投资强度1500万元/亩,产出强度1500万元/亩。
根据规划提出的主要任务,未来将围绕产业链高端、关键环节积极引进一批技术含量高、投资强度大、引领带动强的重大项目,支撑新片区集成电路产业高质量发展。
其中,在芯片制造上,积极对接引进国内最先进工艺线放大项目,推进磁存储器(MRAM)、3DNAND、半浮栅等新型存储项目落地,提升新片区芯片制造产业能级,夯实产业基础。打造国内特色工艺生产高地,坚持市场需求与技术开发相结合,推动BCD、IGBT、CIS、MEMs等特色工艺研发与产业化,支持细分领域IDM项目建设。
推动化合物半导体产业实现由国内引领向国际领先跨越。推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设,面向5G、新能源汽车等应用场景,加快化合物半导体产品验证应用。
此外,任务还包括构建芯片装备材料硬核产业集群:积极引进海内外装备、材料龙头企业,围绕重点企业、重点项目,加快布局建设完善的零部件供应体系,打造新片区集成电路装备、材料产业硬核产业集群。
推动集成电路装备产业规模化发展,重点支持12英寸高端刻蚀、清洗、离子注入、光刻、薄膜、湿法、热处理以及光学量测等设备的研发和产业化;支持硅材料产业做大作强,继续提升12英寸大硅片技术与产能;积极引进国内外光刻胶、掩膜板、第三代半导体等材料企业,加强关键材料的本地化配套能力。
规划提出,将重点支持:
一是EDA设计工具及关键IP,积极引进国内外EDA工具/IP企业,支持EDA工具/IP企业与龙头设计、代工企业合作开发工艺套件,支持针对汽车电子、5G、工业互联网等重点领域的EDA工具/IP开发;
二是智能网联新能源汽车、工业互联网、高端装备等临港重点产业配套关键核心芯片,围绕重点企业加强供应链安全需求,推动自主核心芯片研发,打造系统解决方案;
三是高端芯片,面向AI、5G射频、功率芯片、相变存储器(PCRAM)、阻变存储器(RRAM)等上海尚未有显著布局的新兴领域实现增量发展;
四是智能传感芯片,聚焦物联网及智能终端、无人驾驶、智慧医疗、工业互联网等重点应用领域,推动自主智能传感器产品创新及商业化应用。
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