突破！皖产DRAM产品实现量产 安徽将打造世界一流存储产业集群

本报讯(安徽商报融媒体记者 梁巍)一台黝黑的联想Thinkcentre正在静静的运行，与它连接的屏幕上正在播放着世界集成电路的发展史。尽管外表普通，但如果打开它的机盖，你会发现，在它的内部，拥有一个此前从未在全世界电脑里出现的内存Logo——CXMT(长鑫存储)。

10月22日，中宣部“推动高质量发展调研安徽行”走进位于合肥的长鑫存储。安徽商报融媒体记者见到了目前已经具备量产能力的国产DRAM(动态随机存取存储芯片)。

DRAM是目前最为常见的系统内存，能将数据保持很短的时间，主要用于移动终端、电脑、服务器、人工智能、虚拟现实和物联网领域。

尽管人们常常把4G内存、8G内存挂在嘴边，但是国产DRAM的量产，仍然是一件撼动业界的大事件。

今年9月，长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能为每月12万片晶圆。这标志着我国在内存芯片领域实现量产技术突破，并拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。

“长鑫将分三期建设三座12英寸DRAM存储器晶圆厂，预计三期满产后产能可达到每个月36万片。”长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明称。

长鑫存储也成为了中国第一家自主研发并投入量产的DRAM设计制造一体化企业，并实现了中国在这一领域的历史性突破。与此同时，总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目顺利签约，包括总投资1500亿元的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地、总投资超过200亿元的空港集成电路配套产业园和总投资500亿元的合肥空港国际小镇三个片区。

“我们致力于在安徽打造产城融合国家存储产业基地和世界一流的存储产业集群。”长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示：“在当前全球寡头垄断的格局下，长鑫存储的投产对于推动中国在高端芯片产业逐步实现独立自主，带动上下游产业链国产化，具有重要意义。”

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