晨报讯 2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目正式宣布投产,和国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。该项目是安徽省单体投资最大的工业项目。
9月21日集成电路论坛上,长鑫存储技术有限公司执行副总裁曹堪宇介绍,“本次制造业大会上,我们正式宣布8Gb DDR4的量产。后续我们将持续推进研发工作,在已经完成的研发的制程平台上,提出更多更有竞争力的产品。”目前,正在紧张地进行产品化调试阶段,产品最终优化还在持续,预计年底前会有批量产品正式交给客户。
“长鑫存储投产的产品是现在全球市场上的主流产品。国内多家行业领军企业表现了很大兴趣,还有企业和我们成立了联合实验室,市场需求非常可观。下一代制程技术的研发也已经陆续展开,取得了阶段性的成果。”曹堪宇表示。
DRAM是芯片产业中产值占比最大的单一品类,广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。我国虽是该芯片的最大应用市场,此前却始终未能出现实现量产的国产项目,没有掌握自主产能。曹堪宇表示,全世界DRAM产业高度集中,国产化率不够。在人工智能,5G时代,科技发展对DRAM需求是多元化的,呼唤新的厂商进来一起参与制造。
“芯片是信息社会的粮食,其中存储器芯片是应用最广泛、市场最大的芯片。发展存储器产业可有效填补国内空白,实现信息安全自主可控。”在论坛演讲中,曹堪宇表示,合肥长鑫集成电路制造基地项目就正在打造以DRAM存储器为核心、集上下游产业链配套、生活服务为一体的产城融合基地,助力建设“中国IC之都”。
晨报记者 余佼佼
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